4-Etenilfenolo acetato CAS 2628-16-2

Il P-acetossi-stirene può essere usato per sintetizzare il poliparaidrossistirene come componente principale di un fotoresist (fotoresist). La serie di poli-p-idrossistirene di fotoresistori chimicamente amplificati è attualmente il principale prodotto di fotoresist al mondo e rappresenta una delle tecnologie chiave per elaborare circuiti integrati di fotoincisione e chip di produzione. La tecnologia di fotoincisione è sviluppata dalla produzione di una larghezza della linea di 0.3-0.28μm alla luce ultravioletta profonda (lunghezza d'onda 248nm) per produrre una larghezza della linea di 0.18μm, e la luce ultravioletta ultra-profonda (lunghezza d'onda 193nm) può essere utilizzata per tracciare il larghezza della linea a 0. 11 micron microcircuito. Il fotoresist di 248 nm utilizza solitamente il derivato del poli-p-idrossistirene come resina formante film, sale di iodonio arilico o sale solfonio come generatore di fotoacidi, utilizzando la tecnologia di amplificazione chimica per rilasciare il generatore di fotoacidi sotto luce L'acido, quindi acido catalizza la reticolazione del polimero ( gelificazione negativa) o la reazione di deprotezione (gelatinizzazione positiva), aumentando così notevolmente la fotosensibilità.